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E4D20120D	文件：734.45 Kbytes Page：6 Pages	丝印：E4D20120；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Schottky Diode E-Series Automotive Features • 4th Generation SiC Merged PIN Schottky Technology • Zero Reverse Recovery Current • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable • Humidity Resistant Benefits • Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers • Essentially 文件：734.45 Kbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
E4D20120A	文件：726.94 Kbytes Page：6 Pages	丝印：E4D20120；Package：TO-220-2；Silicon Carbide Schottky Diode E-Series Automotive 文件：726.94 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
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E4D20120G	文件：2.84704 Mbytes Page：6 Pages	丝印：E4D20120；Package：TO-263-2；Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode 文件：2.84704 Mbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
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E4D20120A	文件：1.29729 Mbytes Page：9 Pages	E-Series Automotive 4th Generation 1200 V, 20 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.29729 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
E4D20120G	文件：2.84643 Mbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode E-Series Automotive Features • 4th Generation SiC Merged PIN Schottky Technology • Zero Reverse Recovery Current • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable • Humidity Resistant Benefits • Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers • Essentially 文件：2.84643 Mbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED

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