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E4M0060075J2	文件：1.19684 Mbytes Page：13 Pages	型号：E4M0060075J2；Package：TO-263-7XL；Silicon Carbide Power MOSFET E-Series Automotive N-Channel Enhancement Mode Features •750VSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •4.7mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr)	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.

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E4M0060075J2

文件：1.19684 Mbytes

Page：13 Pages

型号：E4M0060075J2；Package：TO-263-7XL；Silicon Carbide Power MOSFET E-Series Automotive N-Channel Enhancement Mode

Features •750VSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •4.7mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr)

WOLFSPEED

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