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E12	文件：581.39 Kbytes Page：7 Pages	ISOLATED, PROPORTIONAL DC TO HV DC CONVERTERS PRODUCT DESCRIPTION The E Series is a broad line of small, versatile, component level building blocks in a PCB mount package that provide up to 7kV at 3 Watts continuous output power, (8kV at 2 Watts). This series features low ripple, noise, and EMI/RFI by utilizing a quasi-sinewave oscillator, e 文件：581.39 Kbytes 页数：7 Pages	XPPOWER	XPPOWER
E12	文件：159.63 Kbytes Page：13 Pages	SMD Aluminum Solid Capacitors with Conductive Polymer 文件：159.63 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
E12	文件：445.96 Kbytes Page：2 Pages	D-SUM PCB RIGHT ANGLE(7.2MM W/O REAR COVER) 文件：445.96 Kbytes 页数：2 Pages	DBLECTRO	DBLECTRO
ACPDUC12VE-HF	文件：471.27 Kbytes Page：4 Pages	丝印：E12；Package：SOD-523F；SMD ESD Protection Diode Features - High component density. - Surface mount package. - Bi-directional ESD protection. - Low clamping voltage. - AEC-Q101 Qualified & PPAP. 文件：471.27 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
ACPDUC12VEU-HF	文件：472.83 Kbytes Page：4 Pages	丝印：E12；Package：SOD-523F；SMD ESD Protection Diode Features - High component density. - Surface mount package. - Uni-directional ESD protection. - Low clamping voltage. - AEC-Q101 Qualified & PPAP. 文件：472.83 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
ACPDUC12V-HF	文件：471.25 Kbytes Page：4 Pages	丝印：E12；Package：SOD-523F；SMD ESD Protection Diode Features - High component density. - Surface mount package. - Bi-directional ESD protection. - Low clamping voltage. - AEC-Q101 Qualified & PPAP. 文件：471.25 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
DTC113Z	文件：704.49 Kbytes Page：9 Pages	丝印：E12；DIGITAL TRANSISTOR Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design e 文件：704.49 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
PJE8412_R1_00001	文件：385.08 Kbytes Page：6 Pages	丝印：E12；Package：SOT-523；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@350mA 文件：385.08 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MIC2004-1.2YML-TR	文件：3.94238 Mbytes Page：38 Pages	丝印：E12；Package：DFN；Fixed and Adjustable Current Limiting Power Distribution Switches 文件：3.94238 Mbytes 页数：38 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
E12N60	文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	丝印：E12N60；Package：TO-263；12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：897.58 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

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技术参数

Average Continuous Current Rating @ TK = 55 ℃ [Diode] (A)：
1338
Maximum Surge Current - 10ms Half Sine Wave [Diode] (A)：
13300
I2t [Diode] (A2s)：
884 x 103
Max Reverse Recovery Current：
650
Typical Reverse Recovery Time (µs)：
4.00
Reverse Recovery Charge (µC)：
2000
TJ Max (°C)：
150
Package Type：
W5
Threshold Voltage (V)：
1.305
Slope Resistance (mOhm)：
0.678
Thermal resistance [junction-heat sink] 180° Sine Wave (K/W)：
0.0200
Sample Capable：
No
Check Stock：
No

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更多E12供应商更新时间2025-10-8 9:01:00

技术参数

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