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DZTA42	文件：239.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 300V • IC = 500mA high Collector Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：239.78 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZTA42Q	文件：468.63 Kbytes Page：7 Pages	300V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 300V • IC = 500mA High Collector Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：468.63 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZTA42Q-13	文件：468.63 Kbytes Page：7 Pages	300V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 300V • IC = 500mA High Collector Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：468.63 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZTA42_15	文件：291.7 Kbytes Page：7 Pages	300V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 文件：291.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZTA42	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 300V, 0.5A, SOT223	Diodes 美台半导体	Diodes
DZTA42Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. BVCEO > 300V\nIC = 500mA High Collector Current\n2W Power Dissipation\nLow Saturation Voltage VCE(SAT) < 500mV @ 20mA;	Diodes 美台半导体	Diodes
DZTA42-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
DZTA42Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
DZTA42Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
0.5 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
1 W
hFE (min)：
40 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
40
hFE(@ IC2)：
0.03 A
VCE (SAT)Max (mV)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/1
fT (MHz)：
50
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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