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DXTP5840CFDB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DXTP5840CFDB

参数属性

DXTP5840CFDB 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 4.8A 3DFN

功能描述

40V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN U-DFN2020-3
TRANS PNP 40V 4.8A 3DFN

封装外壳

3-UDFN 裸露焊盘

文件大小

416 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 16:14:00

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DXTP5840CFDB规格书详情

DXTP5840CFDB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DXTP5840CFDB晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

 BVCEO > -40V

 hFE Specified up to -3A for High Current Gain Hold Up

 Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications

 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

 For automotive applications requiring specific change

control (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP

capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),

please refer to the related automotive grade (Q-suffix) part. A

listing can be found at

https://www.diodes.com/products/automotive/automotiveproducts/.

 This part is qualified to JEDEC standards (as references in

AEC-Q) for High Reliability.

https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Applications

 DC-DC Converters

 Charging Circuits

 Motor Control

 Power Switches

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DXTP5840CFDB-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    370mV @ 30mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    135MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    U-DFN2020-3(B 类)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 4.8A 3DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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