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DU2880	文件：198.86 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：198.86 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2880	文件：195.69 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：195.69 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2880	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET Power Transistor/ 8OW/ 28V 2 - 175 MHz	MACOM	MACOM
DU2880T	文件：198.86 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：198.86 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2880T	文件：145.98 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 80W, 2-175MHz, 28V Features • N- channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than bipolar devices • RoHS Compliant 文件：145.98 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2880U	文件：156.2 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 80W, 2-175MHz, 28V Features • N-Channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than bipolar devices • RoHS Compliant 文件：156.2 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2880U	文件：195.69 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：195.69 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2880V	文件：190.36 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：190.36 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2880V	文件：154.09 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 80W, 2-175MHz, 28V Features • N-Channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than competitive devices • RoHS Compliant 文件：154.09 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2880T	文件：145.98 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：145.98 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
2
Max Frequency(MHz)：
175
Bias Voltage(V)：
28.0
Pout(W)：
80.00
Gain(dB)：
13.00
Efficiency(%)：
60
Type：
DMOS
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Ceramic Flange Mount

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