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DTD743XM	文件：63.88 Kbytes Page：2 Pages	丝印：M43；Package：VMT3；200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) 文件：63.88 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTD743XM	文件：966.15 Kbytes Page：3 Pages	丝印：M43；Package：VMT3；200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors(with built-in resistors) 文件：966.15 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTD743XM	文件：354.44 Kbytes Page：7 Pages	丝印：M43；Package：VMT3；NPN 200mA 30V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：354.44 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTD743XMT2L	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	ROHM 罗姆	ROHM
DTD743XMT2L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
电阻器 - 基底（R1）：
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）：
10 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
140 @ 100mA，2V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
频率 - 跃迁：
260MHz
功率 - 最大值：
150mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
VMT3

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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	DTD743XMT2L	Rohm Semiconductor	2022+	VMT3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DTDA-LCN-924	SUN	23+		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多DTD743XM供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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