选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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Rohm SemiconductorSOT-723 |
30000 |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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ROHM-罗姆SOT-23-3 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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深圳市科雨电子有限公司4年
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ROHMSOT-723 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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ROHMSOT-723 |
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DTD743XMT2L图片
DTD743XMT2L中文资料Alldatasheet PDF
更多DTD743XMT2L功能描述:TRANS DGTL NPN 200MA 30V VMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极(R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极(R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242
产品属性
- 产品编号:
DTD743XMT2L
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 100mA,2V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
VMT3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3