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DTC123EE	文件：789.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork SOT-523BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistorwith MonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceand itsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsa singletransistorwit	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DTC123EE	文件：714.74 Kbytes Page：5 Pages	BiasResistorTransistorNPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork SOT-523BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistorwith MonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceand itsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsa singletransistorwit	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DTC123EE	文件：1.46625 Mbytes Page：12 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=2.2kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EE	文件：102.19 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTC123EE	文件：1.32423 Mbytes Page：13 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistors lFeatures 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=2.2kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigneasy.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EE	文件：719.6 Kbytes Page：10 Pages	DIGITALTRANSISTORS(BRT)NPNTRANSISTORSWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK DESCRIPTION Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedto replaceasingledeviceanditsexternalresistorbias network.TheBiasResistorTransistor(BRT) containsasingletransistorwithamonolithicbias networkconsistingoftworesistors;aseriesbase resistorandabaseemi	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
DTC123EEB	文件：1.32423 Mbytes Page：13 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistors lFeatures 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=2.2kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigneasy.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EEBHZG	文件：1.03045 Mbytes Page：8 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EEFRA	文件：1.02864 Mbytes Page：8 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EKA	文件：85.34 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=2.2kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Supply Status：
Active
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1[kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1[kΩ]：
2.2
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
20 or more
Output Current [A]：
0.1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DTC123ECAHZG供应商更新时间2025-7-29 9:03:00

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