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DTC123ECAHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 100mA 50V 数字晶体管（电阻内置型晶体管）; • Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2kΩ\n• Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) .\n• Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.\n• Complementary PNP Types: DTA123ECA HZG\n; DTC123ECAHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123ECAHZG	文件：1.03673 Mbytes Page：8 Pages	丝印：22；Package：SOT-23；NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123ECAHZGT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
DTC123EE	文件：429.99 Kbytes Page：13 Pages	BiasResistorTransistorNPNSilicon BiasResistorTransistorNPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
DTC123EE	文件：167.85 Kbytes Page：3 Pages	100mA/50VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EE	文件：438.43 Kbytes Page：13 Pages	BiasResistorTransistorNPNSilicon BiasResistorTransistorNPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
DTC123EE	文件：85.34 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=2.2kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EE	文件：103.57 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=2.2k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTC123EE	文件：1.24671 Mbytes Page：4 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=2.2kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC123EE	文件：127.8 Kbytes Page：10 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=2.2k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Supply Status：
Active
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1[kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1[kΩ]：
2.2
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
20 or more
Output Current [A]：
0.1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DTC123ECAHZG供应商更新时间2025-7-28 14:37:00

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