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DTB513Z	文件：1.08544 Mbytes Page：10 Pages	-500mA/-12V Low VCE(sat)Digital transistor Features 1) VCE(sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positi 文件：1.08544 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZE	文件：1.08544 Mbytes Page：10 Pages	丝印：Y11；Package：SOT-416；-500mA/-12V Low VCE(sat)Digital transistor Features 1) VCE(sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positi 文件：1.08544 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZE	文件：63.76 Kbytes Page：2 Pages	-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) Features 1) VCE(sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positi 文件：63.76 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZM	文件：1.08544 Mbytes Page：10 Pages	丝印：Y11；Package：SOT-723；-500mA/-12V Low VCE(sat)Digital transistor Features 1) VCE(sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positi 文件：1.08544 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZM	文件：63.76 Kbytes Page：2 Pages	-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) Features 1) VCE(sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positi 文件：63.76 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	-500mA/-12V Low VCE(sat)Digital transistor	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZE3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, SOT-416, R1≠R2 数字晶体管(内置偏置电阻的晶体管） DTB513ZE3是一款标准型数字晶体管(电阻内置型晶体管）。 •标准的数字晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital transistor(with built-in resistors) 罗姆开发了数字晶体管的标准产品。 •标准的数字晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
DTB513ZETL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-75，SOT-416；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
DTB513ZMT2L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
EMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-416
JEITA Package：
SC-75A
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-12
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.5
Input resistance R1 1 [kΩ]：
1
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
10
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
140 to
Output Current [A]：
0.5
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.7)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	DTB513ZETL	RohmSemiconductor	24+	SC-75-3SOT-416	7500		询价
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更多DTB513Z供应商更新时间2025-10-7 16:30:00

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