DTB513ZE分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DTB513ZE |
参数属性 | DTB513ZE 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
功能描述 | -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) |
封装外壳 | SC-75,SOT-416 |
文件大小 |
63.76 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Rohm |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
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DTB513ZE规格书详情
特性 Features
1) VCE(sat) is lower than conventional products.
2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).
3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive. biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.
Application
INVERTER, INTERFACE, DRIVER
产品属性
- 产品编号:
DTB513ZETL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 100mA,2V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-75,SOT-416
- 供应商器件封装:
EMT3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
SOT523(SC75) |
7350 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
20+ |
SOT-723 |
49000 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT523 |
3000 |
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询价 | ||
ROHM |
1844+ |
SOT-416 |
9852 |
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询价 | ||
ROHM |
21+ |
EMT3 |
100 |
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ROHM Semiconductor |
23+ |
100 |
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Rohm Semiconductor |
25+ |
SC-75 SOT-416 |
9350 |
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ROHM |
24+ |
SOT353 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
RohmSemiconductor |
24+ |
SC-75-3SOT-416 |
7500 |
询价 |