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DTB123YU	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	丝印：F52；Package：SMT3；PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. 文件：411.33 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YU	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. 文件：411.33 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YU	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	丝印：F52；Package：SMT3；PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advanta 文件：411.33 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YUT106	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. 文件：411.33 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123E	文件：148.01 Kbytes Page：3 Pages	DIGITAL TRANSISTORS 文件：148.01 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
DTB123EC	文件：1.08635 Mbytes Page：8 Pages	-500mA/-50V Digital transistor 文件：1.08635 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123ECHZG	文件：1.14634 Mbytes Page：9 Pages	丝印：F12；Package：SOT-23；500mA/-50V Digital transistor (with built-in resistor) 文件：1.14634 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123EG-AE3-R	文件：148.01 Kbytes Page：3 Pages	DIGITAL TRANSISTORS 文件：148.01 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
DTB123EK	文件：70 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T146；Package：SMT3；Digital transistors (built-in resistors) 文件：70 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123EK	文件：142.3 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T146；Package：SMT3；-500mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：142.3 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
DTB123E(A,F,L,S,V)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
RN2222,UN4121,2SA1525,2SA1529,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-68
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.6

技术参数

VCCVCEO(V)Max.：
50.000
IO(MAX.)IC(MAX.)(mA)：
500.000
GI(hFE)MIN.：
39.000
GI(hFE)test_IO(mA)：
50.000
GI(hFE)test_VO(V)：
5.000
R1(KΩ)Typ.：
2.200
R2(KΩ)Typ.：
2.200
fTTyp.(MHz)：
*200
Package：
SOT-23

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