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DSS4220V

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (DSS5220V) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT) • High Current Gain (hFE) at High IC • Surface Mount Package Suited for Automated Assembly • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Com

文件:126.47 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DSS4220V-7

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (DSS5220V) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT) • High Current Gain (hFE) at High IC • Surface Mount Package Suited for Automated Assembly • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Com

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DIODES

美台半导体

DSS4220V_15

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DIODES

美台半导体

DSS4220V

NPN, 20V, 2A, SOT563

Diodes

美台半导体

DSS4220V-7

Package:SOT-563,SOT-666;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 20V 2A SOT563

PAM

龙鼎微

技术参数

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP):

    Standard

  • Polarity:

    NPN

  • IC (A):

    2

  • ICM (A):

    4

  • PD (W):

    0.6

  • hFE (Min):

    220

  • hFE (@ IC) (A):

    0.1

  • hFE(Min 2):

    120

  • hFE (@ IC2) (A):

    2

  • VCE(sat) Max (mV):

    55

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA):

    0.1/1

  • VCE(sat) (Max.2) (mV):

    355

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA):

    2/100

  • fT (MHz):

    260

  • RCE(sat) (mΩ):

    175

  • Packages:

    SOT563

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更多DSS4220V供应商 更新时间2025-10-8 12:00:00