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DS1345YP-70IND+

1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

文件:193.36 Kbytes 页数:10 Pages

Maxim

美信

DS1345Y

1024k非易失SRAM,带有电池监测器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1345器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态\n• 电池监视器核查剩余电量\n• 100ns的读写存取时间 \n• 没有写次数限制\n• 典型待机电流50µA\n• 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存\n• 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1345Y)或±5% VCC工作范围(DS1345AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND\n• PowerCap模;

ADI

亚德诺

DS1345YL-70

Package:34-LPM;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM

AD

亚德诺

DS1345YL-70IND

Package:34-LPM;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM

AD

亚德诺

DS1345YP-100

Package:34-PowerCap™ 模块;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

AD

亚德诺

技术参数

  • Memory Type:

    NV SRAM

  • Memory Size:

    128K x 8

  • Bus Type:

    Parallel

  • Features:

    Battery Monitor

  • VSUPPLY (min)(V):

    4.5

  • VSUPPLY (max)(V):

    5.5

  • RoHS Available:

    See Data Sheet

  • Oper. Temp.(°C):

    -40 to +85

  • Package/ Pins:

    PWRCP/34

  • Smallest Available Pckg. (max w/pins)(mm2):

    596.9

  • Budgetary Price (See Notes):

    $17.49 @1k

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更多DS1345Y供应商 更新时间2025-10-12 9:01:00