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DS1345YP-100	文件：211 Kbytes Page：12 Pages	1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS13451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondit	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1345YP-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION TheDS13451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondit

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产品属性

产品编号：
DS1345YP-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-PowerCap™ 模块
供应商器件封装：
34-PowerCap 模块
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

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