3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

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Dual Digital Potentiometer Chip

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Maxim

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Dual Digital Potentiometer

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Maxim

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SEMICONDUCTORS

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

Fixed Inductors for Surface Mounting

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Ferrite Inductors

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8M非易失SRAM

DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1265Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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3.3V、8Mb非易失SRAM

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源时下最少可以保存数据10年 \n• 掉电期间数据被自动保护 \n• 没有写次数限制 \n• 低功耗CMOS操作 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 \n• 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围;

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8M非易失SRAM

DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1265Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

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