8M Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1265 8M Nonvolatile SRAMs are 8,388,608-bit, fully static nonvolatile SRAMs organized as 1,048,576 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio

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Maxim

美信

8M非易失SRAM

DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1265Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

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Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

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Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

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