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DS1258AB	文件：207.49 Kbytes Page：8 Pages	128k x 16 Nonvolatile SRAM 文件：207.49 Kbytes 页数：8 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1258AB-100	文件：174.34 Kbytes Page：8 Pages	128k x 16 Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1258 128k x 16 nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit fully static, NV SRAMs, organized as 131,072 words by 16 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condi 文件：174.34 Kbytes 页数：8 Pages	DALLAS	DALLAS
DS1258AB-100-IND	文件：174.34 Kbytes Page：8 Pages	128k x 16 Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1258 128k x 16 nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit fully static, NV SRAMs, organized as 131,072 words by 16 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condi 文件：174.34 Kbytes 页数：8 Pages	DALLAS	DALLAS
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DS1258AB-70-IND	文件：174.34 Kbytes Page：8 Pages	128k x 16 Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1258 128k x 16 nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit fully static, NV SRAMs, organized as 131,072 words by 16 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condi 文件：174.34 Kbytes 页数：8 Pages	DALLAS	DALLAS
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详细参数

型号：
DS1258AB
功能描述：
NVRAM
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

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