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DS1265W-100IND	文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1265W-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1265W-100IND+	文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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DS1265W-100	文件：155.91 Kbytes Page：8 Pages	3.3V8MbNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1265W-100+	文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages	3.3V8MbNonvolatileSRAM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

更多DS1265W-100IND供应商更新时间2025-7-15 14:00:00