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DS1258AB-100	文件：174.34 Kbytes Page：8 Pages	128k x 16 Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1258AB-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1258AB-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1258AB-100-IND	文件：174.34 Kbytes Page：8 Pages	128k x 16 Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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产品属性

产品编号：
DS1258AB-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
2Mb（128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）
供应商器件封装：
40-EDIP
描述：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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