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DS1258AB-70

128k x 16 Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

DS1258AB-70

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaximIntegrated

美信半导体

DS1258AB-70

包装:管件 封装/外壳:40-DIP 模块(0.610",15.495mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1258AB-70-IND

128k x 16 Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

DS1258AB-70#

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaximIntegrated

美信半导体

DS1258AB-70IND

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaximIntegrated

美信半导体

DS1258AB-70IND#

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaximIntegrated

美信半导体

DS1258AB-70#

包装:卷带(TR) 封装/外壳:40-DIP 模块(0.610",15.495mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1258AB-70IND#

包装:卷带(TR) 封装/外壳:40-DIP 模块(0.610",15.495mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    DS1258AB-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    40-DIP 模块(0.610",15.495mm)

  • 供应商器件封装:

    40-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DS1258AB-70供应商 更新时间2024-4-29 16:18:00