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DS1250BL	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1250BL	文件：323.46 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1250BL-100	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1250BL-100-IND	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1250BL-70	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1250BL-70-IND	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1250BL-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1250BL-70	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1250BL-70-IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
1250	文件：882.2 Kbytes Page：50 Pages	SingleChipLowCostLowPowerRF-Transmitter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
1250	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	SUPERHEAVYDUTY	ENERGIZEREnergizer Energizer	ENERGIZER
1250	文件：258.3 Kbytes Page：2 Pages	InterconnectionCordwithApplianceOutletForlowvoltage,Straight	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
1250	文件：105.91 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰OriginalStrainReliefBushings	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1250	文件：104.39 Kbytes Page：1 Pages	OriginalStrainReliefBushings	Heyco Heyco	Heyco
1250Y	文件：688.67 Kbytes Page：19 Pages	ARINC600BKAD/E/F	ITTITT Industries ITT工业	ITT
A1250	文件：365.46 Kbytes Page：12 Pages	HallEffectLatch/BipolarSwitch Description TheA1250Hall-effectsensorICisatemperaturestable,stress-resistantbipolarswitch.ThisdeviceisthemostsensitiveHall-effectdeviceintheAllegro™bipolarswitchfamilyandisintendedforring-magnetsensing.Superiorhigh-temperatureperformanceismadepossiblethrough	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
A1250	文件：364.13 Kbytes Page：12 Pages	HallEffectLatch/BipolarSwitch Description TheA1250Hall-effectsensorICisatemperaturestable,stress-resistantbipolarswitch.ThisdeviceisthemostsensitiveHall-effectdeviceintheAllegro™bipolarswitchfamilyandisintendedforring-magnetsensing.Superiorhigh-temperatureperformanceismadepossiblethrough	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
A1250LLHLT-T	文件：364.96 Kbytes Page：12 Pages	HallEffectLatch/BipolarSwitch Description TheA1250Hall-effectsensorICisatemperaturestable,stress-resistantbipolarswitch.ThisdeviceisthemostsensitiveHall-effectdeviceintheAllegro™bipolarswitchfamilyandisintendedforring-magnetsensing.Superiorhigh-temperatureperformanceismadepossiblethrough	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
A1250LLHLT-T	文件：950.05 Kbytes Page：12 Pages	Hall-EffectLatch/BipolarSwitch	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
A1250LLHLT-T	文件：364.13 Kbytes Page：12 Pages	HallEffectLatch/BipolarSwitch Description TheA1250Hall-effectsensorICisatemperaturestable,stress-resistantbipolarswitch.ThisdeviceisthemostsensitiveHall-effectdeviceintheAllegro™bipolarswitchfamilyandisintendedforring-magnetsensing.Superiorhigh-temperatureperformanceismadepossiblethrough	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro

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详细参数

型号：
DS1250BL
功能描述：
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
150
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
4K(2 x 256 x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-VFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：
8-DFN（2x3）
包装：
管件
产品目录页面：
1445(CN2011-ZH PDF)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯斯宇科技有限公司	DS1250BL-70-IND	MaximIntegratedProducts	2022	ICNVSRAM4MBIT70NS34LPM	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市振宏微科技有限公司	DS1250BL-70	MAXIM	23+	LPM	8888	专做原装正品,假一罚百!	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	DS1250BL-100	DALLAS	23+	LPM	65480		询价
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利广微科技（深圳)有限公司	DS1250BL-70	MAXIM/美信		标准封装	58998	一级代理原装正品现货期货均可订购	询价
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更多DS1250BL供应商更新时间2024-5-29 16:18:00

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