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DS1220AB-200IND	文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages	64k Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1220AB-200	文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages	64kNonvolatileSRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas

产品属性

产品编号：
DS1220AB-200IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
200ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
24-EDIP
描述：
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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