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DS1220AB-200供应商库存 共有254条更新时间:2022-12-8 8:00:00

DS1220AB-200中文资料资料下载文件大小:148 Kbytes页面数量:10 页描述:64k Nonvolatile SRAM厂家:DALLAS [Dallas Semiconductor Corp.]
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  • DS1220AB-200

    DS1220AB-200

    存储器

  • DALLAS

    DIP

  • 5600

  • 20+

  • 全新原装公司现货销售0755-82723761 参数:存储器类型非易失 存储器格式NVSRAM 技术NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储容量16Kb (2K x 8) 写周期时间 - 字,页200ns 访问时间200ns 存储器接口并联 电压 - 电源4.75V ~ 5.25V 工作温度0°C ~ 70°C(TA) 安装类型通孔

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DS1220AB-200制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM

DS1220AB-200+功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

DS1220AB-200IND功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

DS1220AB-200-IND制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM

DS1220AB-200IND+功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube