DRV8300-Q1: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver

1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver – Drives N-Channel MOSFETs (NMOS) – Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V – MOSFET supply (SHx) support upto 100 V • Integrated Bootstrap Diodes • B

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具有自举二极管的汽车类 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

DRV8300 -Q1 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750 mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。\n\n相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (115V) 绝对最大值，从而提高系统的稳健性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可最大限度地降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 \n• 100V 三相半桥栅极驱动器 \n• 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V\n• 集成自举二极管\n• 750mA 拉电流\n• 支持高达 48V 的汽车系统\n• 绝对最大 BSTx 电压高达 115V\n• 内置跨导保护\n• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）\n• 紧凑型 TSSOP 封装\n• 集成保护特性 \n• GVDD 欠压 (GVDDUV);

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