Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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DRV5011 Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器

DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器，专为电机和其他旋转系统而设计。\n\n此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构，采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器，无需使用上拉电阻器，使系统更加紧凑小巧。\n\n当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。\n\n器件在 –40°C 至 +135°C 的宽环境温度 • 超小型 X2SON、SOT-23、DSBGA 或 TO-92 封装\n• 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）\n• 可靠磁滞：4mT（典型值）\n• 快速感应带宽：30kHz \n• VCC 工作范围：2.5V 至 5.5V\n• 推挽式 CMOS 输出 \n• 支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流\n \n• 工作温度：-40°C 至 +135°C;

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Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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DRV5011 Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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丝印：1AD；Package：SOT-23；Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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丝印：1AD；Package：SOT-23；DRV5011 Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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丝印：1AD；Package：SOT-23；Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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丝印：1AD；Package：SOT-23；Low-Voltage, Digital-Latch Hall Effect Sensor

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