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DRV5011中文资料小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器数据手册TI规格书

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厂商型号

DRV5011

参数属性

DRV5011 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为传感器变送器的磁性传感器-开关(固态);产品描述:MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3

功能描述

小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:06:00

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DRV5011规格书详情

描述 Description

DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器,专为电机和其他旋转系统而设计。

此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构,采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器,无需使用上拉电阻器,使系统更加紧凑小巧。

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

器件在 –40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。 ™

 

 

特性 Features

• 超小型 X2SON、SOT-23、DSBGA 或 TO-92 封装
• 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
• 可靠磁滞:4mT(典型值)
• 快速感应带宽:30kHz
• VCC 工作范围:2.5V 至 5.5V
• 推挽式 CMOS 输出
• 支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流

• 工作温度:-40°C 至 +135°C

技术参数

  • 制造商编号

    :DRV5011

  • 生产厂家

    :TI

  • Supply voltage (Vcc) (Min) (V)

    :2.5

  • Supply voltage (Vcc) (Max) (V)

    :5.5

  • Operate point (Max) (mT)

    :3.8

  • Release point (Min) (mT)

    :-3.8

  • Output

    :Push-pull output driver

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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