DRV5011中文资料小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器数据手册TI规格书

厂商型号 |
DRV5011 |
参数属性 | DRV5011 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为传感器变送器的磁性传感器-开关(固态);产品描述:MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3 |
功能描述 | 小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | TI Texas Instruments |
中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 17:06:00 |
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DRV5011规格书详情
描述 Description
DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器,专为电机和其他旋转系统而设计。
此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构,采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器,无需使用上拉电阻器,使系统更加紧凑小巧。
当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。
器件在 –40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。 ™
特性 Features
• 超小型 X2SON、SOT-23、DSBGA 或 TO-92 封装
• 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
• 可靠磁滞:4mT(典型值)
• 快速感应带宽:30kHz
• VCC 工作范围:2.5V 至 5.5V
• 推挽式 CMOS 输出
• 支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流
• 工作温度:-40°C 至 +135°C
技术参数
- 制造商编号
:DRV5011
- 生产厂家
:TI
- Supply voltage (Vcc) (Min) (V)
:2.5
- Supply voltage (Vcc) (Max) (V)
:5.5
- Operate point (Max) (mT)
:3.8
- Release point (Min) (mT)
:-3.8
- Output
:Push-pull output driver
- Operating temperature range (C)
:-40 to 125
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
DSBGA|4 |
70230 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
SMD |
3000 |
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询价 | ||
TI |
21+ |
SOT23-3 |
10000 |
全新原装 |
询价 | ||
TEXAS |
23+ |
DSBGA-4 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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TI |
24+ |
X2SON-4 |
5000 |
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23+ |
SOT23-3 |
95000 |
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TI |
23+ |
X2SON-4 |
20000 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
22+ |
DSBGA-4 |
15000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-4 |
9600 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
X2SON4 |
5000 |
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