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DRTR5V0U1LP	文件：262.78 Kbytes Page：5 Pages	LOW CAPACITANCE SINGLE ESD PROTECTION TVS DIODE Features •IEC61000-4-2(ESD):Air±15kV,Contact±8kV •1ChannelofESDProtection •LowChannelInputCapacitanceof1.0pFTypical •LowProfilePackage(0.53mmmax)andUltra-smallPCB FootprintArea(1.08*0.68mmmax)SuitableforCompact PortableElectronics •TypicallyUseda	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DRTR5V0U1LP-7B	文件：262.78 Kbytes Page：5 Pages	LOW CAPACITANCE SINGLE ESD PROTECTION TVS DIODE Features •IEC61000-4-2(ESD):Air±15kV,Contact±8kV •1ChannelofESDProtection •LowChannelInputCapacitanceof1.0pFTypical •LowProfilePackage(0.53mmmax)andUltra-smallPCB FootprintArea(1.08*0.68mmmax)SuitableforCompact PortableElectronics •TypicallyUseda	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DRTR5V0U1LP-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.5VWM 10VC DFN1006-2	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DRTR5V0U1LPQ-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.5VWM 10VC DFN1006-2	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DRTR5V0U1SO	文件：106.62 Kbytes Page：4 Pages	1CHANNELLOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PESD5V0U1BA	文件：301.18 Kbytes Page：5 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Description UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Discharge(ESD)protectiondiodesinsmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesigned toprotectonedatalinefromthedamagecausedby ESD. Features BidirectionalESDprotectionofoneline Ultralowleakagecurre	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0U1BA	文件：87.33 Kbytes Page：12 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0U1BA	文件：209.52 Kbytes Page：11 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •Bi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0U1BA-Q	文件：212.38 Kbytes Page：11 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0U1BB	文件：301.18 Kbytes Page：5 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Description UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Discharge(ESD)protectiondiodesinsmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesigned toprotectonedatalinefromthedamagecausedby ESD. Features BidirectionalESDprotectionofoneline Ultralowleakagecurre	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
DRTR5V0U1LP
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
DATALINE PROTECTION X1-DFN1006-2 T&R 10K - Tape and Reel
功能描述：
TVS DIODE 5.5VWM 10VC DFN10062

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DRTR5V0U1LP	DIODES/美台	25+	DFN-2	20300	DIODES/美台原装特价DRTR5V0U1LP即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	DRTR5V0U1LP	DIODES/美台	24+	DFN-2	98000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	DRTR5V0U1LP-7B	DIODES/美台	1942+	QFN2	9852	只做原装正品现货或订货!假一赔十!	询价
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更多DRTR5V0U1LP供应商更新时间2025-7-21 18:34:00

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