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DPLS350Y	文件：187.73 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -50V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM up to -5A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：187.73 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS350Y-13	文件：187.73 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -50V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM up to -5A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：187.73 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS350Y_15	文件：286.65 Kbytes Page：7 Pages	50V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR IN SOT89 文件：286.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS350Y-13	文件：286.65 Kbytes Page：7 Pages	50V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR IN SOT89 文件：286.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS350Y-13R	文件：286.65 Kbytes Page：7 Pages	50V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR IN SOT89 文件：286.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS350Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 50V, 3A, SOT89	Diodes 美台半导体	Diodes
DPLS350Y-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 3A SOT89-3	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
No
Product Type：
PNP
IC (A)：
3 A
ICM (A)：
5 A
PD (W)：
1 W
hFE (min)：
200 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
80
hFE(@ IC2)：
2 A
VCE (SAT)Max (mV)：
180 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
2/200
VCE (SAT)(Max.2)：
270 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/20
fT (MHz)：
100 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DPLS350Y	DIODES/美台	25+	SOT-89	34321	DIODES/美台全新特价DPLS350Y即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多DPLS350Y供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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