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DMTH8012LK3Q	文件：557.14 Kbytes Page：8 Pages	80V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：557.14 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8012LK3Q-13	文件：557.14 Kbytes Page：8 Pages	80V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：557.14 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8012LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\nLow RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nHigh Conversion Efficiency\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT8012LK3	文件：605.67 Kbytes Page：7 Pages	80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：605.67 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT8012LK3	文件：508.31 Kbytes Page：7 Pages	80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.31 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8012LK3	文件：555.85 Kbytes Page：7 Pages	80V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：555.85 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
80 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
21 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
24.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
46.8 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	DMTH8012LK3Q	DIODES/美台	24+	TO252(DPAK)	786000	全新原装假一罚十	询价
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