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DMTH8003SPS	文件：504.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：504.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8003SPS-TP	文件：5.93096 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features + Advanced trench cell design + Low Thermal Resistance * Low Gate Charge 文件：5.93096 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMTH8003SPS-13	文件：504.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：504.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8003SPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n•100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications High Conversion Efficiency\n•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
80 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
124.3 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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