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DMTH61M8SPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switchingperformance. This device is ideal for use in power management and load switch.\n\n •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n•High-Conversion Efficiency\n•Low Input Capacitance\n•Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufa;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH61M8SPSQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
130.6 nC
Packages：
PowerDI5060-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMTH61M8SPS供应商更新时间2025-10-14 10:46:00

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