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DMTH6005LPSQ	文件：341.21 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbyaPPAPandisidealforusein: •HighFrequencySwitching •Sync.Rectification •DCDCConverters Features •Ratedto+175C–Ideal	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses; This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMTH6005LPSQ	文件：473 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ-13	文件：341.21 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbyaPPAPandisidealforusein: •HighFrequencySwitching •Sync.Rectification •DCDCConverters Features •Ratedto+175C–Ideal	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ_18	文件：473 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ-13	文件：473 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
23.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
47.1 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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