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DMTH43M8LPSQ	文件：664.7 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：664.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH43M8LPSQ-13	文件：664.7 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：664.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH43M8LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments \n•100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable And Robust End Application\n•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH43M8LFGQ	文件：513.94 Kbytes Page：7 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits  Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments  100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production – Ensures More Reliable and Robust End Application  Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized  Excellent QGD × RDS(ON) Product (FOM) 文件：513.94 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH43M8LPS	文件：569.14 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：569.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
22 A
PD @ TA = +25°C：
2.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.3 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
17.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
38.5 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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更多DMTH43M8LPSQ供应商更新时间2025-12-5 13:02:00

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