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DMTH43M8LK3Q	文件：403.54 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：403.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH43M8LK3Q-13	文件：403.54 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：403.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH43M8LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nExcellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM);	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH43M8LK3	文件：511.03 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：511.03 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
17.6 A
PD @ TA = +25°C：
3.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
17.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
38.5 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市易讯博科技有限公司	DMTH43M8LK3Q-13	DIODES	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多DMTH43M8LK3Q供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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