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DMTH4005SK3Q	文件：611.75 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbyaPPAPandisidealforusein: •EngineManagementSystems •BodyControlElectronics •DC-DCConverters Features •Ratedto+1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH4005SK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust end Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses; This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMTH4005SK3Q	文件：398.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH4005SK3Q-13	文件：611.75 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbyaPPAPandisidealforusein: •EngineManagementSystems •BodyControlElectronics •DC-DCConverters Features •Ratedto+1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH4005SK3Q_16	文件：398.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH4005SK3Q-13	文件：398.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
49.1 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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