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DMTH4004SPSQ	文件：416.3 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：416.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SPSQ	文件：513.58 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：513.58 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SPSQ_17	文件：513.58 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：513.58 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SPSQ-13	文件：416.3 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：416.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SPSQ-13	文件：513.58 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：513.58 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101, supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2.7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
68.6 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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