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DMTH4004LK3	文件：455.75 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：455.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End ApplicationLow RDS(ON) – Minimizes Power LossesLow QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH4004LK3-13	文件：455.75 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：455.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004LK3Q	文件：514.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：514.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004LK3Q-13	文件：514.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：514.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH4004LK3Q
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
35 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
83 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMTH4004LK3供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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