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DMTH32M5LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	mosfets	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT32M5LFG	文件：660.66 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Applications  Backlighting  Power management functions  DC-DC converters Features and Be 文件：660.66 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT32M5LPS	文件：668.55 Kbytes Page：9 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in power management and load switch.  DC-DC converters  Load switches Features  Thermally Efficient Package-Cooler Running A 文件：668.55 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SCTB-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263AB	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMTH4007LK3-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-2(DPAK)	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2.2 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3.2 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
34 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
68 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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更多DMTH32M5LPSQ供应商更新时间2025-12-17 13:01:00

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