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DMTH3004LK3	文件：611.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：611.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH3004LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH3004LK3-13	文件：611.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：611.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH3004LK3Q	文件：560.63 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：560.63 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH3004LK3Q-13	文件：560.63 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：560.63 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH3004LK3Q
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
43.7 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多DMTH3004LK3供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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