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DMTH10H025LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n•100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable And Robust End Application\n•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\n•Fast Switching Speed\n•Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH10H025LPSQ	文件：1.89791 Mbytes Page：6 Pages	丝印：APG40N10NF；Package：DFN5X6-8L；N-ChannelEnhancement Mode Field Effect Transistor Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity or Invertors Applications Consumer electronic power supply Motor control Synchronous-rectification Isolated DC Synchronous-rectification application 文件：1.89791 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DMT10H025SSS	文件：511.38 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：511.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SCTB-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263AB	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMTH4007LK3-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-2(DPAK)	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH10H025LPSQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9.3 A
IDS @ TC = +25°C：
45 A
PD @ TA = +25°C：
3.2 W
PD @ TC = +25°C：
79 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
23 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
CISS Typ：
1477 pF
CISS Condition [@VDS]：
50 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
21
Packages：
PowerDI5060-8

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