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DMT8012LFG

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT8012LFG_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT8012LFG-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT8012LFG-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT8012LFG-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMT8012LFG-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT8012LFG

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    Yes

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    80 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    9.5 A

  • PD @ TA = +25°C:

    N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    16 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    22 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    34 nC

  • Packages:

    PowerDI3333-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMT8012LFG供应商 更新时间2026-1-23 20:45:00