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DMT69M8LPS	文件：648.11 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：648.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT69M8LPS-13	文件：648.11 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：648.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT69M8LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT69M8LSS	文件：387.04 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：387.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT69M8LSS	文件：512 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：512 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
No
Polarity：
N
ESDDiodes：
No
VDS：
60V
VGS：
16±V
IDS@TA=+25°C：
10.2A
PD@TA=+25°C：
2.3W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
12mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
14mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
2V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
15.6nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
33.5nC

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更多DMT69M8LPS供应商更新时间2025-10-10 10:43:00

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