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DMT6017LFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	65V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production— Ensures More Reliable and Robust End Application\n•PCB Footprint of 4mm2\n•ESD Protected Gate\n•Halogen and Antimony Free. \"Green\" Device (Note 3);	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6017LSS	文件：552.41 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：552.41 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
HIP6017	文件：135.55 Kbytes Page：14 Pages	Advanced PWM and Dual Linear Power Control Advanced PWM and Dual Linear Power Control The HIP6017 provides the power control and protection for three output voltages in high-performance microprocessor and computer applications. The IC integrates a PWM controller, a linear regulator and a linear controller as well as the monitoring and pro 文件：135.55 Kbytes 页数：14 Pages	Intersil	Intersil
HIP6017B	文件：139.32 Kbytes Page：16 Pages	Advanced PWM and Dual Linear Power Control The HIP6017B provides the power control and protection for three output voltages in high-performance microprocessor and computer applications. The IC integrates a PWM controller, a linear regulator and a linear controller as well as the monitoring and protection functions into a single 28 lead SOI 文件：139.32 Kbytes 页数：16 Pages	Intersil	Intersil

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
65 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.1 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
1.76 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
18 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
23 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.3 V
CISS Typ：
891 pF
CISS Condition [@VDS]：
30 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
15.3
Packages：
U-DFN2020-6

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更多DMT6017LFDF供应商更新时间2025-12-18 15:08:00

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