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DMT6015LPDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production – Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications\n•High Conversion Efficiency\n•Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Wettab;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6015LPS	文件：545.01 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.01 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6015LSS	文件：451.5 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：451.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DTS6015	文件：288.16 Kbytes Page：2 Pages	0.1 TO 6.0 GHz THRESHOLD DETECTOR 文件：288.16 Kbytes 页数：2 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9.4 A
PD @ TA = +25°C：
2.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
18 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
24.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
15.7 nC
Packages：
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