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DMT6010LPS	文件：564.92 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：564.92 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LPS	文件：581.44 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：581.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LPS_16	文件：564.92 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：564.92 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LPS-13	文件：564.92 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：564.92 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LPS-13	文件：581.44 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：581.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and Loadswitch. Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
13.5 A
PD @ TA = +25°C：
2.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
12 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
19.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
41.3 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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