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DMT6010LFG	文件：462.88 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462.88 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LFG_15	文件：418.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：418.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LFG-13	文件：462.88 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462.88 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LFG-13	文件：418.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：418.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LFG-7	文件：418.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：418.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LFG-7	文件：462.88 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462.88 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6010LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
22 ±V
IDS @ TA = +25°C：
30 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
11.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
41.3 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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