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DMT6007LFG	文件：314.85 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：314.85 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6007LFG-13	文件：314.85 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：314.85 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6007LFG-7	文件：314.85 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：314.85 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6007LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nExcellent QGD × RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC-DC Converters\nSmall form factor thermally efficient package enables higher density end products\nOccupies just 33% of the board area by enabling smaller end products\n100% ;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6007LFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	mosfets	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
8.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
19.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
41.3 nC
Packages：
PowerDI3333-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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