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DMT6005LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses; This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMT6005LPS	文件：376.27 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT6005LPS	文件：493 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT6005LPS_17	文件：493 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT6005LPS-13	文件：493 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT6005LPS-13	文件：376.27 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT6005LPSW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4.9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
8.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
23.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
47.1 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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